型号: 2N7000-G
功能描述: MOSFET 60V 5Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 mA
Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
高度: 5.33 mm
长度: 5.21 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.19 mm
商标: Microchip Technology
正向跨导 - 最小值: 100 mmho
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 453.600 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：林桂新
电话：13316917545
Q Q:
联系人：廖美亮
电话：15243557388
Q Q:
联系人：花花，张先生
电话：18927491517
Q Q:
