型号: 2N7000P
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 200 mA
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 40 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
系列: 2N7000
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