型号: 2N7000CSM
功能描述: N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
制造商: SEME-LAB [Seme LAB]
晶体管极性: ?频道
电流, Id 连续: 200mA
电压, Vds 最大: 60V
在电阻RDS（上）: 5ohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 300mW
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功耗: 300mW
漏极电流, Id 最大值: 200mA
电压, Vgs 最高: 40V
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