型号: 2N7002-T1-GE3
功能描述: 二极管与整流器
制造商: Vishay
系列: 2N
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 115mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 50pF @ 25V
Vgs（最大值）: ±20V
功率耗散（最大值）: 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.5 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package: SOT-23-3
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 60V
连续漏极电流ID: 115mA
漏源极导通电阻RDS(ON): 7.5Ohms
栅源极阀值电压VGS(th): 1Vto2.5V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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