型号: 2N7002DW_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：双N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 115mA
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 200mW
类型: 双N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13510133095
Q Q:
联系人：张志明
电话：13751502497
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
