型号: 2N7002ET
功能描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002ET, 260 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型: N
最大连续漏极电流: 260 mA
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 2.5 0hms
最大栅阈值电压: 2.5V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: SOT-23
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 小信号
最大功率耗散: 300 mW
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
长度: 2.9mm
高度: 0.94mm
宽度: 1.3mm
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 0.81 nC @ 5 V
典型输入电容值@Vds: 26.7 pF@ 25 V
典型关断延迟时间: 4.8 ns
典型接通延迟时间: 1.7 ns
尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.94mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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