型号:  2SA1162S-GR,LF

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

产品培训模块：  General Purpose Discrete Items

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  晶体管（BJT） - 单路

系列：  -

包装：  带卷（TR）

晶体管类型：  PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：  300mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  -

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：  150mW

频率 - 跃迁：  80MHz

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  S-Mini

其它名称：  2SA1162-GR(T5L,F,T)2SA1162-GR(TE85L,F)2SA1162-GR(TE85L,F))2SA1162-GR(TE85LF))TR2SA1162-GR(TE85LF))TR-ND2SA1162-GR(TE85LF)TR2SA1162-GR(TE85LF)TR-ND2SA1162-GRLFTR2SA1162-GRTR2SA1162-GRTR-ND2SA1162S-GR,LF2SA1162S-GRLFTR2SA1162S-GRLFTR-ND2SA1162SGRLF