型号: 2SA1182-O(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： 2SA1182 -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 100mA，1V
功率 - 最大值： 150mW
频率 - 跃迁： 200MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： S-Mini
其它名称： 2SA1182-O(TE85LF)TR
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