型号: 2SA1930,Q(J
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 180V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1V @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 100mA，5V
功率 - 最大值: 2W
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220NIS
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：王静
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