型号: 2SA2120-O(Q)
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor PNP 200V 12A
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 200 V
集电极—基极电压 VCBO: 200 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 12 A
增益带宽产品fT: 25 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SA2120
高度: 19 mm
长度: 15.9 mm
宽度: 4.8 mm
商标: Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散: 200000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 6.756 g
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