型号: 2SC2235-O(FA1,F,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 120V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 100mA，5V
功率 - 最大值: 900mW
频率 - 跃迁: 120MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装: TO-92MOD
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：范小姐
Q Q:
联系人：钟蓉
Q Q:
联系人：龙小平,朱先生
电话：19868271275
Q Q:
