型号: 2SJ179
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 6A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 50mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 2.5W
类型: P沟道
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