型号: 2SJ200-Y(F)
功能描述: MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 50
FET 型 ： MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 180V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 10A
Rds（最大）@ ID，VGS： -
VGS（TH）（最大）@ Id： -
栅极电荷（Qg）@ VGS： -
输入电容（Ciss）@ Vds的： 1300pF @ 30V
功率 - 最大： 120W
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P(N)
包装材料 ： Bulk
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