型号: 2SJ652-1E
功能描述: MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 28.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 80 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
封装: Tube
系列: 2SJ652
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 180 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 210 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 310 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 6 g
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