型号: 2SJ665-DL-1EX
功能描述: MOSFET P-CH 100V 27A TO263
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 77 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 74nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4200pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 65W（Tc）
工作温度: 150°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-2
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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