型号: 2SJ681(Q)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 700pF @ 10V
功率耗散（最大值）: 20W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 2.5A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PW-MOLD2
封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：李先生
电话：13602549709
Q Q:
联系人：Alan
电话：13798325538
Q Q:
联系人：白先生，彭女士
电话：13265789936
Q Q:
