型号: 2SK1365
功能描述: MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04),
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms
晶体管极性: N-Chan 1be4 nel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
商标: Toshiba
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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