型号:  2SK2312(F)

功能描述:   MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson 0.017 Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  45A

Rds（最大）@ ID，VGS：  17 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  110nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  3350pF @ 10V

功率 - 最大：  45W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220NIS

包装材料 ：  Tube;;其他的名称；

删除：  Compliant

连续漏极电流：  45 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  45 W

安装：  Through Hole

工作温度范围：  -55C to 150C

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  60 V

弧度硬化：  No

包装类型：  TO-220NIS