型号:  2SK2603(F)

功能描述:   MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  800V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3A

Rds（最大）@ ID，VGS：  3.6 Ohm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  25nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  750pF @ 25V

功率 - 最大：  100W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

包装材料 ：  Bulk

漏极电流（最大值）：  3 A

频率（最大）：  Not Required MHz

栅源电压（最大值）：  �30 V

输出功率（最大）：  Not Required W

功率耗散：  100 W

安装：  Through Hole

噪声系数：  Not Required dB

漏源导通电阻：  3.6 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-220AB

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏极效率：  Not Required %

漏源导通电压：  800 V

功率增益：  Not Required dB

弧度硬化：  No

连续漏极电流：  3 A