型号: 2SK2604(T)
功能描述: MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PN
制造商: Toshiba
标准包装： 3,000
FET 型 ： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点： Standard
漏极至源极电压（VDSS）： 800V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 5A
Rds（最大）@ ID，VGS： 2.2 Ohm @ 3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 34nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 1080pF @ 25V
功率 - 最大： 125W
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P(N)
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：胡畔
电话：18588435432
Q Q:
联系人：刘祝平
电话：18126538756
Q Q:
联系人：陈伟辉
电话：13058072201
Q Q:
