型号: 2SK2604(T)
功能描述: MOSFET N-CH 800V 5A TO-3PN
制造商: Toshiba
标准包装: 3,000
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Standard
漏极至源极电压(VDSS): 800V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 5A
Rds(最大)@ ID,VGS: 2.2 Ohm @ 3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 1080pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P(N)
包装材料 : Tape & Reel (TR)
联系人:赵小姐
电话:13631261606
联系人:杨晓芳
电话:13430590551
联系人:小林
电话:15820798353
联系人:曾小姐
联系人:王
电话:13631598171
联系人:廖先生
电话:13926543930
联系人:彭小姐
联系人:刘玉花
电话:13302927908
联系人:孙
Q Q:
联系人:谢小姐
电话:13480809246