型号: 2SK2607(F,T)
功能描述: MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 640V
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 3,000
FET 型 ： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点： Standard
漏极至源极电压（VDSS）： 800V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 9A
Rds（最大）@ ID，VGS： 1.2 Ohm @ 4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 68nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 2160pF @ 25V
功率 - 最大： 150W
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P(N)
包装材料 ： Bulk
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