型号: 2SK2611(F,T)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
制造商: toshiba
包装： 3TO-3PN
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 900 V
最大连续漏极电流： 9 A
RDS -于： 1400@10V mOhm
最大门源电压： ±30 V
典型上升时间： 25 ns
典型下降时间： 20 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Through Hole
最大门源电压： ±30
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： TO-3PN
最低工作温度： -55
渠道类型： N
最大漏源电阻： 1400@10V
最大漏源电压： 900
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： TO-3PN
最大功率耗散： 150000
最大连续漏极电流： 9
引脚数： 3
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