型号:  2SK2613(F)

功能描述:   MOSFET MOSFET N-Ch 1000V 8A Rdson 1.7 Ohm

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  1000V (1kV)

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  8A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.7 Ohm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  65nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2000pF @ 25V

功率 - 最大：  150W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装：  TO-3P(N)

包装材料 ：  Tube

连续漏极电流：  8 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  150 W

安装：  Through Hole

漏源导通电阻：  1.7 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-3PN

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  1000 V

弧度硬化：  No

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :8A

Drain Source Voltage Vds：  :1kV

On Resistance Rds(on)：  :1.7ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :4V

功耗：  :150W

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-3P

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :8A

端接类型：  :Through Hole

晶体管类型：  :Power MOSFET

Voltage Vds Typ：  :1kV

Voltage Vgs Max：  :30V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V

Weight (kg)：  0.01143

Tariff No.：  85412900