型号: 2SK2614(Q)
功能描述: MOSFET N-Ch 50V 20A Rdson 0.046 Ohm
制造商: Toshiba
标准包装： 200
FET 型 ： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 50V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 20A
Rds（最大）@ ID，VGS： 46 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 25nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 900pF @ 10V
功率 - 最大： 40W
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装： PW-MOLD
包装材料 ： Tube;;其他的名称；
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