型号: 2SK2615
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：88mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.7A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 88mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: N沟道
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13066880981
Q Q:
联系人：肖
电话：23576511
Q Q:
联系人：郑东
电话：13751193938
Q Q:
