型号:  2SK2968(F)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

制造商:  toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  900V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  10A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.25 Ohm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  70nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2150pF @ 25V

功率 - 最大：  150W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装：  TO-3P(N)

包装材料 ：  Tube

包装：  3TO-3PN

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  10 A

RDS -于：  1250@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  25 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

连续漏极电流：  10 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  150 W

漏源导通电阻：  1.25 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-3PN

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  900 V

弧度硬化：  No