型号: 2SK3018
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 100uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
制造商: SHIKUES(时科)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 100mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 100uA
漏源导通电阻: 8Ω @ 10mA,4V
最大功率耗散(Ta=25°C): 200mW
类型: N沟道
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