型号: 2SK3557-6-TB-E
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: JFET
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
Id-连续漏极电流: 50 mA
最大漏极/栅极电压: - 15 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
产品: RF JFET
系列: 2SK3557
类型: JFET
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 35 mS
闸/源截止电压: - 0.7 V
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 8 mg
联系人：肖瑶，树平
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