型号: 2SK3561
功能描述: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
标准包装: 50
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准型
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 850 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 25V
功率 - 最大: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220SIS
包装: 管件
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