型号:  2SK3566(Q)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

制造商:  toshiba

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  2.5A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  900V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  12nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  470pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-220-3 Full Pack

Power - Max：  40W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  6.4 Ohm @ 1.5A, 10V

Supplier Device Package：  TO-220SIS

Vgs(th) (Max) @ Id：  4V @ 1mA

包装：  3TO-220NIS

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  2.5 A

RDS -于：  6400@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  20 ns

典型下降时间：  30 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

标准包装：  Rail / Tube

连续漏极电流：  2.5 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  40 W

漏源导通电阻：  6.4 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-220NIS

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  900 V

弧度硬化：  No