型号: 2SK3566(Q)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
制造商: toshiba
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
FET Feature: Standard
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 25V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Power - Max: 40W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
包装: 3TO-220NIS
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 900 V
最大连续漏极电流: 2.5 A
RDS -于: 6400@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型上升时间: 20 ns
典型下降时间: 30 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
标准包装: Bulk
标准包装: Rail / Tube
连续漏极电流: 2.5 A
栅源电压(最大值): �30 V
功率耗散: 40 W
漏源导通电阻: 6.4 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: TO-220NIS
引脚数: 3 +Tab
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 900 V
弧度硬化: No
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