型号: 2SK3658(TE12L,F)
功能描述: Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3658(TE12L,F), 2 A, Vds=60 V, 4引脚 PW Mini封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 2 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 300 m0hms
最大栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: PW Mini
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 4
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1.5 W
典型输入电容值@Vds: 140 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs: 5 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
系列: 2SK
每片芯片元件数目: 1
最低工作温度: -55 °C
宽度: 2.5mm
长度: 4.6mm
高度: 1.6mm
尺寸: 4.6 x 2.5 x 1.6mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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