型号: 2SK3663
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 4A
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 45mΩ @ 3.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.56W
类型: N沟道
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