型号: 2SK3666-4-TB-E
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 30V
漏源极电压（Vdss）： 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 2.5mA @ 10V
漏极电流（Id） - 最大值： 10mA
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4pF @ 10V
电阻 - RDS（开）： 200 欧姆
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： 3-CP
功率 - 最大值： 200mW
联系人：Alien
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联系人：樊勉
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联系人：杨先生
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电话：13480875861
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联系人：余先生，张先生
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