型号: 2SK3667(Q,M)
功能描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS
制造商: Toshiba
Rohs: Lead free / RoHS Compliant
标准包装: 50
FET 型 : MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点: Standard
漏极至源极电压(VDSS): 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 7.5A
Rds(最大)@ ID,VGS: 1 Ohm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 33nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 1300pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型 : Through Hole
包/盒 : TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装: TO-220SIS
包装材料 : Tube
联系人:唐伟,吕年英
电话:13510558532
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:陈梦,李丽
联系人:陈先生
电话:13823793399
Q Q:
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:张
电话:13266573387
联系人:谢先生
电话:13332931905
联系人:黄泽武
电话:15986772093
联系人:王成
电话:010-56762419
Q Q:
联系人:张小姐
电话:18680346787