型号: 2SK3667(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 散装
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1300pF @ 25V
功率 - 最大值: 45W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220SIS
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:王小康
电话:18188642307
联系人:郭智贤
电话:13590256842
联系人:李
电话:19925272019
联系人:柯小姐
电话:13510157626
联系人:Sam
联系人:徐吉刚
电话:13426409278
联系人:刘文科
电话:17315471130
Q Q: