型号: 2SK3703
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1780pF @ 20V
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 26 毫欧 @ 15A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220ML
封装/外壳: TO-220-3 整包
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：房志明
电话：18033425661
Q Q:
联系人：程
电话：15989302538
Q Q:
联系人：滕
电话：18566660637
Q Q:
