型号:  2SK3745LS-1E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  2A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  10V

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  37.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  380pF @ 30V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  2W（Ta），35W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  13 欧姆 @ 1A，10V

工作温度:  150°C（TJ）

安装类型:  通孔

封装/外壳:  TO-220-3 整包

封装形式Package:  TO-220F

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  1500V

连续漏极电流ID:  2A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  37.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  380pF @ 30V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  13 欧姆 @ 1A，10V

FET 类型:  N 沟道

漏源极电压（Vdss）:  1500V（1.5KV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  10V

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs