型号: 2SK3767(Q)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
制造商: toshiba
包装: 3TO-220SIS
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 600 V
最大连续漏极电流: 2 A
RDS -于: 4500@10V mOhm
最大门源电压: ±30 V
典型上升时间: 15 ns
典型下降时间: 20 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Through Hole
标准包装: Rail / Tube
连续漏极电流: 2 A
栅源电压(最大值): �30 V
功率耗散: 25 W
漏源导通电阻: 4.5 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: TO-220SIS
引脚数: 3 +Tab
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 600 V
弧度硬化: No
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:高R
电话:15112166916
联系人:何先生
电话:13602644386
联系人:陈泽彪
电话:13751050097