型号: 2SK3799(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.3 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2200pF @ 25V
功率 - 最大值： 50W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商器件封装： TO-220SIS
其它名称： 2SK3799(Q,M)2SK3799(QM)2SK3799(QM)-ND
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：15986776775
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13539053038
Q Q:
联系人：小吴
电话：13798234804
Q Q:
