型号:  2SK3878(F,T)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

制造商:  toshiba

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  9A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  900V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  60nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  2200pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-3P-3, SC-65-3

Power - Max：  150W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  1.3 Ohm @ 4A, 10V

Supplier Device Package：  TO-3P(N)

Vgs(th) (Max) @ Id：  4V @ 1mA

包装：  3TO-3PN

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  900 V

最大连续漏极电流：  9 A

RDS -于：  1300@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型上升时间：  25 ns

典型下降时间：  20 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk