型号:  2SK4012(Q)

功能描述:   MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  500V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  13A

Rds（最大）@ ID，VGS：  400 mOhm @ 6.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  50nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2400pF @ 25V

功率 - 最大：  45W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装：  TO-220SIS

包装材料 ：  Bulk

类别：  Power MOSFET

通道模式：  Enhancement

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  10 x 4.5 x 8.1mm

身高：  8.1mm

长度：  10mm

最大连续漏极电流：  13 A

最大漏源电阻：  0.4 Ω

最大漏源电压：  500 V

最大门源电压：  ±30 V

最高工作温度：  +150°C

最大功率耗散：  45,000 mW

最低工作温度：  -55°C

安装类型：  Through Hole

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  TO-220SIS

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  50 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  2400 pF V @ 25

宽度：  4.5mm

连续漏极电流：  13 A

栅源电压（最大值）：  �30 V

功率耗散：  45 W

安装：  Through Hole

漏源导通电阻：  0.4 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  500 V

弧度硬化：  No

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :13A

Drain Source Voltage Vds：  :500V

On Resistance Rds(on)：  :400mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :4V

功耗：  :45W

Transistor Case Style：  :TO-220SIS

No. of Pins：  :3

MSL：  :-

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max：  :13A

端接类型：  :Through Hole

晶体管类型：  :Power MOSFET

Voltage Vds Typ：  :500V

Voltage Vgs Max：  :30V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V

Weight (kg)：  0.002

Tariff No.：  85412900