型号: 2SK4150TZ-E
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 400mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.7 欧姆 @ 200mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.7nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 80pF @ 25V
功率 - 最大值： 750mW
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装： TO-92
联系人：杨丹妮
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联系人：杨先生
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