型号: 3LN01C-TB-E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 1.58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7pF @ 10V
Vgs（最大值）: ±10V
功率耗散（最大值）: 250mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.7 欧姆 @ 80mA，4V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4V
漏源电压（Vdss）: 30V
供应商器件封装: 3-CP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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