型号: 3SK291(TE85L,F)
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 12.5 V
增益: 22.5 dB
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-24-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Dual
工作频率: 800 MHz
系列: 3SK291
类型: RF Small Signal MOSFET
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 13 mg
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