型号:  55GN01CA-TB-E

功能描述:  射频(RF)双极晶体管 SWITCHING DEVICE

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  射频(RF)双极晶体管

RoHS:  是

系列:  55GN01CA

晶体管类型:  Bipolar Power

技术:  Si

晶体管极性:  NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:  100

集电极—发射极最大电压 VCEO:  10 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  3 V

集电极连续电流:  5 mA

最小工作温度:  + 25 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  CP-3

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

集电极—基极电压 VCBO:  20 V

直流电流增益 hFE 最大值:  180

高度:  1.1 mm

长度:  2.9 mm

工作频率:  5.5 GHz

工作温度范围:  + 25 C to + 150 C

类型:  RF Bipolar Power

宽度:  1.5 mm

商标:  ON Semiconductor

增益带宽产品fT:  4.5 GHz

最大直流电集电极电流:  70 mA

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors