型号: A2T18S261W12NR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 18.2 dB
输出功率: 56 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-880X-2L2L
封装: Reel
工作频率: 1805 MHz to 1880 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
零件号别名: 935338749528
单位重量: 3.796 g
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