型号:  A2T21H360-23NR6

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  Dual N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  2.4 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 5 V

增益:  16.8 dB

输出功率:  63 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  OM-1230-4

封装:  Reel

工作频率:  2110 MHz to 2200 MHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP Semiconductors

通道数量:  2 Channel

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  150

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.8 V

零件号别名:  935322358528

单位重量:  5.296 g