型号: A2T21H360-23NR6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2.4 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 5 V
增益: 16.8 dB
输出功率: 63 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-1230-4
封装: Reel
工作频率: 2110 MHz to 2200 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.8 V
零件号别名: 935322358528
单位重量: 5.296 g
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