型号: A2T21S161W12SR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 19.1 dB
输出功率: 38 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780S-2
封装: Reel
工作频率: 2110 MHz to 2200 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
零件号别名: 935363146128
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：梁
电话：13913757657
Q Q:
联系人：林彦辉
电话：13790241994
Q Q:
联系人：肖圣
电话：17825673949
Q Q:
