型号:  A2T23H200W23SR6

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  Dual N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  1.8 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 65 V

增益:  15.5 dB

输出功率:  51 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  ACP-1230S-4

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

工作频率:  2300 MHz to 2400 MHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP Semiconductors

通道数量:  2 Channel

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  150

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 V

零件号别名:  935347117128

单位重量:  0.001 mg