型号: A2T23H200W23SR6
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V
增益: 15.5 dB
输出功率: 51 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ACP-1230S-4
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 2300 MHz to 2400 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
零件号别名: 935347117128
单位重量: 0.001 mg
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