型号:  AFT05MS003NT1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  2.6 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 30 V

增益:  20.8 dB

输出功率:  3.2 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-89-3

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

工作频率:  1.8 MHz to 941 MHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

通道数量:  1 Channel

Pd-功率耗散:  30.5 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

零件号别名:  935312585147

单位重量:  50.800 mg